超LSIの製造技術 4巻 超LSIの製造技術(Ⅱ)
￥30,800
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商品コード： NKVS-1054204
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収録時間 | 37分 |
監修 | 酒井 徹志(日本電信電話(株)) 小切間 正彦((株)日立製作所) |
制作年 | 1990年 |
内容 | 今日のエレクトロニクス産業の発展には、目を見張るものがあります。これを支えてきたのは急速な半導体技術の進歩にほかなりません。ご承知のように、代表的なLSIメモリーのDRAMは、開発競争が激化しています。 このような状況の中で、本ビデオでは、基本的なデバイス技術から最新の微細加工技術を中心に超LSIの製造プロセスを現場撮影とCGを駆使してわかりやすく映像化いたしました。 第4巻 超LSIの製造技術〔Ⅱ〕[37分] 1.熱酸化(SiO2)膜の形成方法とその性質 2.ゲート酸化膜の形成とその性質 3.多結晶Si[Poly Si]膜の形成方法とその性質 4.素子間分離 5.多層配線 |